Предисловие Введение Часть I. Изделия микроэлектроники как объект производства Глава 1. Технология производства изделий микроэлектроники: история развития. Общие положения и основные определения 1.1. Содержание и основные понятий технологии производства изделий микроэлектроники 1.2. Развитие технологии производства изделий электронной техники в историческом аспекте 1.3. Изделия микроэлектроники: классификация, термины, определения Глава 2. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на биполярных транзисторах 2.1. Принцип действия биполярного транзистора 2.2. Конструктивно-технологические особенности и варианты интегральных биполярных транзисторов, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии 2.3. Интегральные диоды 2.4. Активные элементы для быстродействующих и сверхскоростных интегральных микросхем 2.5. Интегральные резисторы 2.6. Интегральные конденсаторы 2.7. Функционально-интегрированные элементы БИС 2.8. Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга 2.9. Эволюция конструктивно-технологических вариантов исполнения биполярных транзисторов, диодов и резисторов в логических интегральных микросхемах 2.10. Контакты к кремнию, проводники разводки, контактные площадки внешних выводов микросхемы 2.11. Вспомогательные элементы микросхем Глава 3. Конструкции элементов полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на МДП-транзисторах 3.1. Принципы работы и классификация МДП-транзисторов 3.2. Вспомогательные элементы МДП-микросхем 3.3. Основные характеристики МДП-транзисторов и их связь с конструктивно-технологическими параметрами 3.4. Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов 3.5. Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС 3.6. МДП-элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств 3.7. Конструкции и материалы элементов коммутации в МДП-БИС Глава 4. Конструкции элементов биполярно-полевых полупроводниковых микросхем 4.1. Классификация однокристальных биполярно-падевых микросхем 4.2. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом 4.3. Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле 4.4. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Инжекционно-полевая логика 4.5. Конструктивно-технологические варианты биполярно-полевых структур, содержащих МДП-транзисторы Глава 5. Конструкции элементов и компонентов пленочных гибридных микросхем и микросборок 5.1. Необходимость и целесообразность использования гибридного конструктивно-технологического варианта изготовления интегральных микросхем 5.2. Подложки 5.3. Конструкции пленочных элементов 5.4. Конструкции элементов коммутации 5.5. Рекордные результаты, достигнутые при создании многоуровневой разводки 5.6. Конструкции пленочных структур с распределенными параметрами 5.7. Конструкции компонентов гибридных микросхем и микросборок Часть II. Технология производства и конструкции микросхем. Микропроцессоров и микросборок Глава 6. Исходные материалы и полуфабрикаты для производства полупроводниковых интегральных микросхем 6.1. Монокристаллический кремний 6.2. Эпитаксиальные структуры 6.3. Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями 6.4. Структуры для полупроводниковых микросхем с полной диэлектрической изоляцией элементов Глава 7. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах 7.1. Изготовление полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с изоляцией элементов p-n переходами 7.2. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с полной диэлектрической изоляцией элементов 7.3. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с комбинированной изоляцией элементов Глава 8. Технологические маршруты производства интегральных полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на МДП-транзисторах 8.1. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием алюминиевых затворов 8.2. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием поликремнневых затворов 8.3. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзис-торах с использованием поликремниевых затворов и многоуровневой разводки 8.4. Технологические маршруты производства биполярно-полевых полупроводниковых интегральных микросхем Глава 9. Технологические маршруты производства гибридных микросхем и микросборок 9.1. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных микросхем 9.2. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных БИС и микросборок 9.3. Технологические маршруты производства толстопленочных гибридных микросхем 9.4. Технологические маршруты производства гибридных БИС и микросборок на стальных эмалированных подложках Глава 10. Анализ и синтез технологических процессов производства интегральных микросхем 10.1. Анализ технологических процессов производства микросхем 10.2. Синтез технологических маршрутов производства микросхем 10.3. Гибкое автоматизированное производство в технологии интегральных микросхем 10.4. Обеспечение эффективности производства и повышения качества изделий микроэлектроники 10.5. Требования к чистоте воздушной среды и климатическим параметрам 10.6. Основные положения электронно-вакуумной гигиены Глава 11. Методы выполнения технологических операций и используемое оборудование 11.1. Операции разделения пластин на кристаллы и подложек на платы 11.2. Операции удаления материалов с поверхности пластин и подложек 11.3. Операции нанесения тонких и толстых пленок 11.4. Операции формирования конфигураций элементов интегральных микросхем 11.5. Операции литографии 11.6. Операции формирования p-n переходов в полупроводниках 11.7. Операции соединения материалов Глава 12. Конструкции микросхем и микропроцессоров 12.1. Конструкции корпусов микросхем и микропроцессоров 12.2. Конструкция бескорпусных микросхем Заключение Список литературы
