Рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (p–n-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании оптоэлектронных приборов. Описаны принципы действия, основные характеристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светодиодов и инжекционных лазеров.
